成都电镀加工介绍

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成都电镀加工金属成分完全不一样，化学元素表上，一个是gold， 一个是platinum. 直接电镀工艺介绍 (一) 法拉第定律 

第*定律——在镀液进行电镀时(电解)阴极上所“附积”的金属重量(或阳极所溶蚀者)与所通过的电量成正比. 

第二定律——在不同镀液中以相同的电量进行电镀时,其各自附积出来的重量与其化学当量成正比. 

上述第*定律中的“电量”,即为电流强度与时间的乘积,理论单位是库伦,实肜电位为安培.分或安培.小时. 

以硫-酸铜中的二价铜离子为例,其第*个库伦的电量在100%的阴极效率下可以镀出0.3294mg的纯铜,每1安培小时可镀出1.186g的纯铜.电量越多镀出越多.第二定律是对不同镀液的比较而言,上述的镀铜量是指硫-酸铜的二价铜离子而言,若镀液换成jing化铜液的一价铜离子之时,则同样1个安培小时的电量可以镀出纯铜2.372g,只因1价铜的化当量为63.57/1,2价铜的化学当量是63.57/2,故前者的附积量在同电量时是后者的两倍. 成都电镀加工

(二) 阴极膜 

电镀进行时愈接近阴极被镀物表面时其金属离子浓度愈低,现以其浓度下降1%处起直到被镀物表面为止的一薄层液膜称之为“阴极膜”.薄层中由于金属离子渐少且发生氢气以致电阻增加导电不良阻碍金属之顺利登陆.且此膜也因镀体之外形起伏而有原薄不同,外形凸起峰处膜层较薄故远方之高浓度离子容易补充使该处优先被镀上,即所谓之高电流密度区,反之低凹谷处自然不容易镀上.现将各局部区域之电流强度以公式讨论之: Ilim=nFADCb/∮ Ilim——局部区域电流之大小 n———电子数 F———法拉第常数(镀出1g金属所需之电量) A———该处面积大小 D———金属离子之扩散系数 Cb——大量镀液之平均浓度 ∮——阴极膜厚度由上式可知降低阴极膜的厚度有助于镀层之均匀.故电镀需作各种搅拌如吹气、镀流动、阴极的摆动等其目的都在降低阴极膜的厚度,在接近被镀物表面处得以增多金属离子的供应量.  

(三) 镀液的电阴 成都电镀加工

总电阴=外路及接点+生液体+阴极膜. 

电路板在进行量产时待镀的面积都很大,故需要的直流电流也极高而常达数千安培,为求良好的镀层其电压多控制在5伏之下.但按A=V/R之公式看来,其总电阻必须极小才能满足此奥姆定律,故应保持外路及接点低外路及接点,加热镀液以降低生液体,搅拌镀液以降低阴极膜.否则电压太高了会造成水彼电,解会产生多量的气压,大大影响镀层的品质. 

(四) 当金属浸于其盐类之溶液中时,其表面即发生金溶成离子或离子登陆成为金属之置换可逆反应,直到某一电位下达到平衡.若在常温常压下以电解稀西安液时白金阴极表面之氢气光做为任意零值,将各种金属与此“零值极”连通做对比时,可找各种金属对氢标准电极之电位来.再将金属及其离子间之氧化或还原电位对NHE比较排列而成“电化学次序”或电动次序.以还原观点而言,比氢活泼的金属冠以负值使其排列在氢的上位,如锌为-0.762,表示锌很容易氧化成离子,不容易登陆成金属,理论上*少要外加0.762V以上才能将之镀出. 比氢高*者冠以正值,排在氢的下位。愈在下位者愈容易还原镀出来,也就是说其金属能在自然情况下较安定,反之在上位者则容易生锈了. 成都电镀加工

(五) 氢超电压 

电镀时氢离子会泳向阴极而形成氢气逸出,此种氢离子在水溶液中的行径与金属相同,故比氢活泼的金属在电镀时,理论上是氢先出来后才轮到金属的登陆,但事实上却是金属比氢出来的多,此种阻止氢出来的额外电坟称之为“氢超电压”. 

氢气出现在镀件表面上未立即赶走时,会阻止后来金属在该点的登陆,进而造成镀层的凹点故设法提高镀液的氢超电压及降低镀液表面张力并搅拌以赶走氢气泡都是电镀所常追求的技术. 

(六) 极化 

金属电极在其盐类水溶液中可以形成一各可逆的平衡,对外界而言并无正负之分极现象.但若另外施加一电压分出正负极进行电解时,此外加电压称为Overvoltane,overpotential,或极化,却克服各种障碍使金属得以顺利登陆,必须超过各种极化,如活化极化、浓度极化、电阻极化、及气体极化时,其总值即为电镀进行所需之*低电压.为使镀层完*起见常加入各种助剂,以改变阻极表面的局部现象,使镀层更为均匀.成都电镀加工